更重要的是，PERC電池紅外波段的量子效率顯著提高，尤其在1100~1200nm波段增加的發(fā)電不計(jì)入到標(biāo)稱功率當(dāng)中。因此PERC組件在正常輻照下由于低輻照特性可以多發(fā)電，而在陰雨天以及早晚，相對常規(guī)組件的多發(fā)電優(yōu)勢更加明顯。
（2）功率溫度系數(shù)
一方面PERC電池的紅外波段量子效率高，其電流溫度系數(shù)略高；另一方面PERC電池的開路電壓更高，電壓溫度系數(shù)（絕對值）更低。綜合來看，PERC電池的功率溫度系數(shù)（絕對值）低于多晶和常規(guī)單晶。
（3）初始光衰
晶硅組件都存在光致衰減（LID）問題（從組件廠家的質(zhì)保承諾來看，首年功率衰減一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼與氧在室外光照后產(chǎn)生的“B-O對”導(dǎo)致組件功率降低。
采用了PERC技術(shù)后，光生空穴需要運(yùn)行更遠(yuǎn)的距離才能被背電極收集，“B-O對”與雜質(zhì)、缺陷會產(chǎn)生更明顯影響，導(dǎo)致5%以上的LID。通過降低硅片氧含量、改變摻雜劑、對電池進(jìn)行退火處理等措施，可以將PERC電池的光衰顯著降低，例如單晶PERC組件可以達(dá)到2%以下的首年功率衰減。
目前，在PERC電池技術(shù)方面比較領(lǐng)先的公司有天合光能等。在“領(lǐng)跑者”計(jì)劃中，國家對電池組件的效率提出了多晶不低于16.5%，單晶不低于17.5%的目標(biāo)要求，現(xiàn)在天合光能量產(chǎn)的PERC單、多晶電池的效率分別已經(jīng)達(dá)到21.1%和20.16%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過這一要求，走到了行業(yè)前端。目前，天合光能已經(jīng)在黃金線上實(shí)現(xiàn)22.61%電池效率和300W組件功率的穩(wěn)定生產(chǎn)，并即將全面投入量產(chǎn)。
黑硅技術(shù)
黑硅對光伏行業(yè)來講，不是一個(gè)新技術(shù)。不過，黑硅技術(shù)近期的進(jìn)展可能歸結(jié)于兩個(gè)主要因素：第一，金剛線切割能夠大幅度的降低多晶硅片成本，但傳統(tǒng)的酸制絨導(dǎo)致電池效率降低，而黑硅制絨可以很大幅度上解決金剛線切割帶來了制絨工藝上的困難。第二，黑硅技術(shù)的設(shè)備成本降低，電池和組件端的進(jìn)步也促進(jìn)了該技術(shù)的發(fā)展。
黑硅除了能解決外觀問題之外，還能形成奈米級的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶電池片的光反射率以推升轉(zhuǎn)換效率。故金剛線切搭配黑硅技術(shù)的工藝，能同時(shí)兼顧硅片端降本與電池片端提效兩方面。
目前黑硅技術(shù)主要分成干法制絨的離子反應(yīng)法（Reactive Ion Etching，RIE）技術(shù)，以及濕法制絨的金屬催化化學(xué)腐蝕法（Metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE）。
以現(xiàn)有設(shè)備來看，RIE技術(shù)因效率提升較高、已有量產(chǎn)實(shí)績等因素較被市場接受，然而其機(jī)臺價(jià)格昂貴，讓不少欲進(jìn)入者躊躇不前。濕法MCCE方面，雖然機(jī)臺價(jià)格遠(yuǎn)低于干法制絨，但現(xiàn)有技術(shù)尚未成熟，容易導(dǎo)致外觀顏色不均、轉(zhuǎn)換效率較低、廢液難以回收等議題，目前仍無法解決。
因此，近兩年黑硅的產(chǎn)能擴(kuò)充將不如PERC當(dāng)年迅速。不過，為抵御單晶產(chǎn)品步步進(jìn)逼，多晶電池片廠商也會開始采用黑硅技術(shù)，以推升電池效率。隨著金剛線切多晶硅片品質(zhì)趨于穩(wěn)定，黑硅產(chǎn)品也將引燃另一波產(chǎn)業(yè)界的熱烈討論。
MWT組件技術(shù)
MWT（metal Wrap Through金屬穿透）技術(shù)是在硅片上利用激光穿孔技術(shù)結(jié)合金屬漿料穿透工藝將電池片正面的電極引到背面從而實(shí)現(xiàn)降低正面遮光提高電池轉(zhuǎn)換效率的目的。同時(shí)由于該技術(shù)的組件封裝特點(diǎn)，組件的串聯(lián)電阻低，轉(zhuǎn)換效率高；并且可以適用于更薄的硅片，使得進(jìn)一步較大幅度降低成本成為可能。
